ISSN: 1859-1531
BAN BIÊN TẬP

Tổng biên tập
GS.TSKH. Bùi Văn Ga

Phó Tổng biên tập
GS.TS. Trần Văn Nam

Trưởng ban biên tập
PGS.TS. Nguyễn Tấn Hưng

Cơ quan Đại học Đà Nẵng
41 Lê Duẩn, TP Đà Nẵng
Trường Đại học Bách khoa
54 Nguyễn Lương Bằng, Quận Liên Chiểu, TP Đà Nẵng
Trường Đại học Kinh tế
71 - Ngũ Hành Sơn - TP. Đà Nẵng
Trường Đại học Sư phạm
459 Tôn Đức Thắng - Liên Chiểu - Đà Nẵng
Trường Đại học Ngoại ngữ
131 Lương Nhữ Hộc, Đà Nẵng
Trường Đại học Sư phạm kỹ thuật
48 Cao Thắng - Đà Nẵng
Phân hiệu ĐHĐN tại KonTum
129 Phan Đình Phùng, Kon Tum
Khoa công nghệ thông tin và tuyền thông
Hòa Quý - Ngũ Hành Sơn - Đà Nẵng
Khoa Y Dược
Hòa Quý - Ngũ Hành Sơn - Đà Nẵng
Khoa Giáo dục Thể chất
62 Ngô Sỹ Liên, Liên Chiểu, Đà Nẵng
Khoa Quốc tế
41 Lê Duẩn, Đà Nẵng
Viện Nghiên cứu & Đào tạo Việt Anh
158A Lê Lợi
Trung tâm phát triển phần mềm
41 Lê Duẩn, Tp. Đà Nẵng
Trung tâm kiểm định chất lượng giáo dục
41 Lê Duẩn, Tp. Đà Nẵng
Trung tâm ngoại ngữ
131 Lương Nhữ Hộc, Tp Đà Nẵng
Trung tâm nghiên cứu phát triển quản trị và tư vấn doanh nghiệp
71 - Ngũ Hành Sơn - TP. Đà Nẵng
Tổng: 15,303,887
THIẾT KẾ MẠCH LDO ĐẦU VÀO DẢI RỘNG SỬ DỤNG CÔNG NGHỆ CMOS 180 NM
DESIGNING WIDE-RANGE LDO CIRCUIT USING 180 NM CMOS PROCESS
 Tác giả: Nguyễn Hữu Thọ, Nguyễn Thế Quang*
Đăng tại: Vol. 17, No. 10.1, 2019; Trang: 13-17
Tóm tắt bằng tiếng Việt:
Bài báo này trình bày về thiết kế mạch ổn áp tuyến tính điện áp rơi thấp (LDO) đạt được dải rộng của điện áp đầu vào trên công nghệ CMOS TSMC 180 nm. Nghiên cứu về mạch LDO cho thấy, để đạt được dải điện áp đầu vào rộng, các đề xuất trước đây sử dụng kiến trúc mạch phức tạp, xếp chống nhiều tầng LDO, điều này dẫn đến tiêu thụ nhiều công suất và diện tích chiếm. Do vậy, trong bài báo này nhóm tác giả đề xuất một kiến trúc mạch LDO đơn giản sử dụng một mạch đơn giản ở đầu vào để mở rộng dải điện áp làm việc của mạch LDO. Thêm vào đó, để cải thiện chất lượng của mạch LDO, kỹ thuật suy giảm trở kháng bộ đệm đã được thực hiện để điều khiển thiết bị công suất PMOS. Kết quả mô phỏng cho thấy LDO đạt được dải điện áp đầu vào rộng từ 3.6 V đến 12.6 V và một điện áp rơi thấp 300 mV.
Từ khóa: Điện áp đầu vào dải rộng; mạch quản lý nguồn; mạch ổn áp tuyến tính điện áp rơi thấp.
Abstract:
This paper presents a Low-dropout regurator (LDO) with wide range input voltage on 180 nm TSMC CMOS process. The LDO circuits in the literature with wide range input voltage use complex circuit architecture, cascode some LDOs with so much power dissipation and area. For this reason, this paper proposes a simple LDO including an added block at input to extend operation range. In addition, to further improve LDO performances, buffer impedance attenuation technique is realized to build an intermediate stage for driving the PMOS pass device. The simulation shows the LDO circuit obtains 3.6 V to 12.6V of input voltage and a low dropout voltage of 300 mV.
Key words: Wide range input voltage; voltage manager circuit; low dropout regulator
Tài liệu tham khảo:
[1] Liang-Guo Shen, et al.: “Design of Low-Voltage Low-Dropout Regulator with Wide-Band High-PSR Characteristic,” International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, 2006.
[2] M. Lüders, et al.: “A Fully-Integrated System Power Aware LDO for Energy Harvesting Applications,” Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, 2011.
[3] D.Khan, et al.: “Design of a Capacitor-Less LDO with High PSRR for RF Energy Harvesting Applications,” ISOCC, 2017.
[4] H. Zhang, et al.: “A 318 nA Quiescent Current 0-10mA Output Transient Enhanced Low-Dropout Regulator Applied in Energy Harvest System,” International Conference on Integrated Circuits and Microsystems, 2017.
[5] Carl Lester S. De Guzman, et al.: “Switched-Capacitor Converter with Low Dropout Voltage Regulator for Wireless Sensor Nodes,” TENCON 2012 IEEE Region 10 Conference.
[6] Jiaqi Yin, et al.: “An 800 mA Load Current LDO with Wide Input Voltage Range,” International Conference on Circuits, Devices and Systems, 2017.
[7] Hanxiao Du, Xinquan Lai and Yuan Chi, “A high voltage LDO with dynamic compensation network,” Analog Integrated Circuits and Signal Processing, 2014.
[8] Koichiro Ishibashi, et al.: “A 375 nA Input Off Current Schmitt Triger LDO for Energy Harvesting IoT Sensors,” ISVLSI2018.
[9] Ryohei Takitoge, et al.: “Temperature Beat: Persistent and Energy Harvesting Wireless Temperature Sensing Scheme,” IEEE SENSORS, 2016.
[10] Guo, J., & Leung, “A 6-uW Chip-area-efficient output-capacitor less LDO in 90-nm CMOS technology,” IEEE Journal of Solid-State Circuits, 45(9), 1896–1905, 2010.
[11] Al-Shyoukh, H. Lee, R. Perez, “A transient enhanced low-quiescent current low-dropout regulator with buffer impedance attenuation,” IEEE Journal of Solid-State Circuits, 42(8), 1732–1742, 2007.
[12] R. Backer, Circuit Design, Layout, and Simulation, IEEE Series on Microelectronic Systems, 2010.

BAN BIÊN TẬP

Tổng biên tập
GS.TSKH. Bùi Văn Ga

Phó Tổng biên tập
GS.TS. Trần Văn Nam

Trưởng ban biên tập
PGS.TS. Nguyễn Tấn Hưng

Cơ quan Đại học Đà Nẵng
41 Lê Duẩn, TP Đà Nẵng
Trường Đại học Bách khoa
54 Nguyễn Lương Bằng, Quận Liên Chiểu, TP Đà Nẵng
Trường Đại học Kinh tế
71 - Ngũ Hành Sơn - TP. Đà Nẵng
Trường Đại học Sư phạm
459 Tôn Đức Thắng - Liên Chiểu - Đà Nẵng
Trường Đại học Ngoại ngữ
131 Lương Nhữ Hộc, Đà Nẵng
Trường Đại học Sư phạm kỹ thuật
48 Cao Thắng - Đà Nẵng
Phân hiệu ĐHĐN tại KonTum
129 Phan Đình Phùng, Kon Tum
Khoa công nghệ thông tin và tuyền thông
Hòa Quý - Ngũ Hành Sơn - Đà Nẵng
Khoa Y Dược
Hòa Quý - Ngũ Hành Sơn - Đà Nẵng
Khoa Giáo dục Thể chất
62 Ngô Sỹ Liên, Liên Chiểu, Đà Nẵng
Khoa Quốc tế
41 Lê Duẩn, Đà Nẵng
Viện Nghiên cứu & Đào tạo Việt Anh
158A Lê Lợi
Trung tâm phát triển phần mềm
41 Lê Duẩn, Tp. Đà Nẵng
Trung tâm kiểm định chất lượng giáo dục
41 Lê Duẩn, Tp. Đà Nẵng
Trung tâm ngoại ngữ
131 Lương Nhữ Hộc, Tp Đà Nẵng
Trung tâm nghiên cứu phát triển quản trị và tư vấn doanh nghiệp
71 - Ngũ Hành Sơn - TP. Đà Nẵng
Tổng: 15,303,887